Samsung, yüksek bant genişlikli bellek (HBM) yarışında görünüşe vitesi yükseltti. Micron’un 2,8 TB/s bant genişliğini aşan HBM4 örneklerini duyurmasının hemen ardından şirket, 2025 OCP Global Summit kapsamında HBM4e teknolojisine dair iddialı detayları paylaştı.
Samsung, HBM4e’de çıtayı yükseltiyor
Aktarılanlara göre Samsung, HBM4e bellekler için pin başına 13 Gbps’yi aşan hızlar hedefleniyor. Bu da maksimum 3,25 TB/s veri aktarımına karşılık geliyor. Yani mevcut HBM3e’ye kıyasla yaklaşık 2,5 kat daha yüksek bir hız. Şirket ayrıca güç verimliliğinde iki kattan fazla artış planlıyor. Yeni nesil HBM4e’nin, HBM3e’nin bit başına 3,9 piko-joule olan enerji tüketiminin yarısından daha az güç harcayacağı bildiriliyor.
Nvidia, yeni nesil Vera Rubin yapay zeka hızlandırıcısı için mevcut JEDEC HBM4 standardının 8 Gbps/pin (2 TB/s) sınırını aşmak istemiş ve Samsung, SK hynix ile Micron’dan 10 Gbps’in üzerinde hızlar talep etmişti. Bu hedefler de bu talepten sonra şekillendi.
HBM4 stratejisi yeniden şekilleniyor
Chosun Daily’nin haberine göre Samsung, HBM4’ün seri üretimine geçişi hızlandırmak amacıyla önemli bir stratejik değişikliğe hazırlanıyor. Şirketin, 1c DRAM verim iyileştirme ekibini dağıtarak kaynaklarını HBM4’ün erken kitlesel üretimine yönlendirmeyi değerlendirdiği belirtiliyor. Bu hamle, Samsung’un Nvidia’nın tedarik zincirine dahil olma ve erken pazar payı elde etme hedefini destekliyor.
TrendForce’un analizine göre, üç büyük tedarikçi arasında en agresif adımı Samsung attı. Şirket, 2024 yılında HBM4’ün temel kalıp üretim sürecini FinFET 4 nm’ye yükseltti ve yıl bitmeden hacimli üretime geçmeyi hedefliyor. Aktarım hızlarının 10 Gbps seviyesine ulaşması beklenirken, bu hız sınıfındaki üretim payının SK hynix ve Micron’un önüne geçeceği tahmin ediliyor. HBM4e’nin 2027 yılında gelmesi bekleniyor.
